N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體所呈現(xiàn)的電性分別為( )
- A
正電,負(fù)電
- B
負(fù)電,正電
- C
負(fù)電,負(fù)電
- D
中性,中性
N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體所呈現(xiàn)的電性分別為( )
正電,負(fù)電
負(fù)電,正電
負(fù)電,負(fù)電
中性,中性
P型半導(dǎo)體:在硅(或鍺)的晶體內(nèi)摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì),使其空穴數(shù)量遠(yuǎn)大于電子數(shù)量,以空穴導(dǎo)電為主,空穴為多數(shù)載流子,電子為少數(shù)載流子,半導(dǎo)體呈中性。
N型半導(dǎo)體:在硅(或鍺)的晶體內(nèi)摻入少量施主原子雜質(zhì),使其電子數(shù)量遠(yuǎn)大于空穴數(shù)量,以電子導(dǎo)電為主,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,半導(dǎo)體呈中性。
多做幾道
有一個(gè)緊靠地面的半球形接地體,其半徑為0.5m,土壤的電導(dǎo)率 。則此接地體的接地電阻為( ) 。
3.183
7.96
6.368
1.592
終端開(kāi)路的無(wú)損耗傳輸線的長(zhǎng)度為波長(zhǎng)的多少倍時(shí),其入端阻抗的絕對(duì)值不等于其特性阻抗?
八分之一
二分之一
八分之三
八分之七
一半徑為R的金屬半球,置于真空中的一無(wú)限大接地導(dǎo)電平板上,在球外有一點(diǎn)電荷q,位置如圖所示。在用鏡像法計(jì)算點(diǎn)電荷q受力時(shí),需放置鏡像電荷的數(shù)目為:( )。
4個(gè)
3個(gè)
2個(gè)
無(wú)限多
一半徑為1m的半球形導(dǎo)體球當(dāng)作接地電極埋于地下,其平面部分與地面相重合,土壤的電導(dǎo)率 ,則此接地體的接地電阻為:( )。
15.92Ω
7.96Ω
63.68Ω
31.84Ω
平板電容器,保持板上電荷量不變,充電后切斷電源。當(dāng)板間距離變?yōu)?倍時(shí),兩板間的力為( )。
F
F/2
F/4
F/8
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