題目

N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體所呈現(xiàn)的電性分別為(    )

  • A

    正電,負(fù)電

  • B

    負(fù)電,正電

  • C

    負(fù)電,負(fù)電

  • D

    中性,中性

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P型半導(dǎo)體:在硅(或鍺)的晶體內(nèi)摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì),使其空穴數(shù)量遠(yuǎn)大于電子數(shù)量,以空穴導(dǎo)電為主,空穴為多數(shù)載流子,電子為少數(shù)載流子,半導(dǎo)體呈中性。

N型半導(dǎo)體:在硅(或鍺)的晶體內(nèi)摻入少量施主原子雜質(zhì),使其電子數(shù)量遠(yuǎn)大于空穴數(shù)量,以電子導(dǎo)電為主,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,半導(dǎo)體呈中性。

多做幾道

有一個(gè)緊靠地面的半球形接地體,其半徑為0.5m,土壤的電導(dǎo)率    。則此接地體的接地電阻為(  ) 。  

  • A

    3.183

  • B

    7.96

  • C

    6.368

  • D

    1.592

終端開(kāi)路的無(wú)損耗傳輸線的長(zhǎng)度為波長(zhǎng)的多少倍時(shí),其入端阻抗的絕對(duì)值不等于其特性阻抗?

  • A

    八分之一

  • B

    二分之一

  • C

    八分之三

  • D

    八分之七

一半徑為R的金屬半球,置于真空中的一無(wú)限大接地導(dǎo)電平板上,在球外有一點(diǎn)電荷q,位置如圖所示。在用鏡像法計(jì)算點(diǎn)電荷q受力時(shí),需放置鏡像電荷的數(shù)目為:(   )。

  • A

    4個(gè)

  • B

    3個(gè)

  • C

    2個(gè)

  • D

    無(wú)限多

一半徑為1m的半球形導(dǎo)體球當(dāng)作接地電極埋于地下,其平面部分與地面相重合,土壤的電導(dǎo)率        ,則此接地體的接地電阻為:(  )。

  • A

    15.92Ω

  • B

    7.96Ω

  • C

    63.68Ω

  • D

    31.84Ω

平板電容器,保持板上電荷量不變,充電后切斷電源。當(dāng)板間距離變?yōu)?倍時(shí),兩板間的力為(  )。

  • A

    F

  • B

    F/2

  • C

    F/4

  • D

    F/8

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