CMOS集成施密特觸發(fā)器組成的電路如圖a)所示,該施密特觸發(fā)器的電壓傳輸特性曲線如圖b)所示,該電路的功能為:
- A
雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
- B
單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
- C
多諧振蕩器
- D
三角波發(fā)生器
CMOS集成施密特觸發(fā)器組成的電路如圖a)所示,該施密特觸發(fā)器的電壓傳輸特性曲線如圖b)所示,該電路的功能為:
雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
多諧振蕩器
三角波發(fā)生器
因此,其為多諧振蕩器。
多做幾道
有一個緊靠地面的半球形接地體,其半徑為0.5m,土壤的電導(dǎo)率 。則此接地體的接地電阻為( ) 。
3.183
7.96
6.368
1.592
終端開路的無損耗傳輸線的長度為波長的多少倍時,其入端阻抗的絕對值不等于其特性阻抗?
八分之一
二分之一
八分之三
八分之七
一半徑為R的金屬半球,置于真空中的一無限大接地導(dǎo)電平板上,在球外有一點電荷q,位置如圖所示。在用鏡像法計算點電荷q受力時,需放置鏡像電荷的數(shù)目為:( )。
4個
3個
2個
無限多
一半徑為1m的半球形導(dǎo)體球當(dāng)作接地電極埋于地下,其平面部分與地面相重合,土壤的電導(dǎo)率 ,則此接地體的接地電阻為:( )。
15.92Ω
7.96Ω
63.68Ω
31.84Ω
平板電容器,保持板上電荷量不變,充電后切斷電源。當(dāng)板間距離變?yōu)?倍時,兩板間的力為( )。
F
F/2
F/4
F/8
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